场效应晶体管（Field Effect Transistor，FET）是一种半导体晶体管，它是用于改变电子设备中的电流的主要元件。FET可用于构建电子电路，它主要用于电路中的放大和滤波，也可用于保护电路。FET具有良好的信号/噪声比，对噪声的容忍度很大，且噪声和谐度很高，因此在电子设备中被广泛使用。
在电子设备中，FET往往会被内部结构、外部驱动信号等影响而产生噪声。其中，FET本身的自身噪声总是会引入系统中，因此，减少FET噪声的重要性无可忽视。FET噪声一般是由FET的材料、结构和工艺中造成的误差而产生的。主要有三种类型的噪声，即随机噪声，行为噪声和差模值噪声。
随机噪声是由输入管内的杂质，以及材料结构本身引起的电荷噪声产生的。行为噪声是FET的穿透率变化伴随的紊乱电流产生的结果。差模值噪声是由于FET一般具有双管成分，大量使用时可能会发生一些差模值噪声的出现。
要有效减少场效应晶体管噪声，多种技术都被广泛应用。其中，应用增益型电路抑制噪声是最常见的方法。此外，通过改变FET内部材料、结构和工艺以及优化设计来减少噪声也是一种有效的方法。若发现有明显的噪声表现，可使用有源滤波器，对噪声进行过滤和抑制，以提高电路的性能。
总之，为了获得更高效的电子系统，有效减少场效应晶体管噪声对系统性能和可靠性有着不可忽视的影响。减少噪声对系统失真的影响，关键在于选用优质的管件、优化FET的设计和实施有效的布线方案。
