电子元器件的发展和进步逐渐改变了人们的生活。通常，在电子产品中，三极管是最重要的元器件之一，但它受到了场效应管技术的竞争，现在它已经被场效应管替代。
首先，浪涌阻抗较低是场效应管技术用于取代三极管的主要原因。从理论上讲，场效应管元器件的浪涌阻抗可以达到10欧姆左右，比三极管的浪涌阻抗要低上几个数量级，这在某些特定应用的电路中尤其重要，所以场效应管技术会受到热烈的欢迎，在很多情况下被当做三极管的替代品。
其次，场效应管技术的稳定性被公认为更好，因为它没有比三极管更多的栅极电流，可以改善漂移，可稳定性更高。所以在需要高低压比大于10的应用中，场效应管的性能优势和可靠性，使它成为集成放大器应用和开关管应用中三极管不可替代的元器件。
最后，由于场效应管技术在功耗消耗和热固性能方面的优势，未来将在更多方面替代三极管。与三极管相比，场效应管用电更加经济和节能，发热也更少，并且易于堆叠和密集放置在元器件包里面，更加节约空间。
总之，场效应管技术的发展和进步已经取代了三极管，其低浪涌阻抗、良好的稳定性及其低功耗等优势，使它在芯片集成放大器应用等多个领域可以取代三极管，为电子技术的发展和进步做出了贡献。
