CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)场效应管是多年来在微电子集成电路(IC)中发挥着重要作用的一种激励装置。它以能够实现微小尺寸、低功耗和高灵敏度等有着众多优势的特性，被广泛应用于电脑及其他多种电子设备。而当试图弄懂cmos场效应管版图时，首先要做的就是了解管的基本构造。CMOS场效应管由一个n型晶体管和一个p型晶体管组成，晶体管之间以回路连接，充当开关功能。当应用到模拟电路中时，它是一个双极性开关，提供低截止和高截止功能，当收到控制信号的改变时改变场效应管的状态而实现有效地功能控制。
同时，n型和p型晶体管的特性参数也决定了场效应管的性能。其比崩潮等效电路的截止频率、增益、稳定度、抑制力等数值非常重要。因此，研制CMOS场效应管的版图时，我们要充分考虑晶体管的n型和p型特性参数，以保证CMOS场效应管能够达到理想的性能要求。
CMOS场效应管可以应用到各种电子设备及系统中，能大大提高电子设备和系统的全面性能，使电子组件的应用更加灵活，并且对电子设备和系统的尺寸和功耗消耗有着极大的限制作用，所以了解CMOS场效应管的基本构造和关键参数第一步就是理解其版图。
