增强型场效应管（Enhanced Field Effect Transistor, EFET）是一种电子器件，由元件类型、工艺尺寸和输入/输出特性等参数组成。在竞争市场中，增强型场效应管的型号不断演变，官方发布的型号一大堆，彼此间相互交叉关联，涉及到多种复杂的业务环境，令人眼花缭乱。
鉴于许多型号的使用，分类的必要性越来越明显。依据元件分类、工艺尺寸分类和特性参数分类，将增强型场效应管型号划分为以下三类：
首先是元件类型，如MOSFET和JFET场效应管型号。MOSFET场效应管是利用两层介质场来控制可执行的操作，而JFET场效应管是利用半导体物质实现可操作的开关。
其次是工艺尺寸分类，如MIC技术、LSI技术、VLSI技术、ULSI技术等。其中MIC技术工艺尺寸通常为7微米以下，而LSI、VLSI技术则为10微米到0.2微米，ULSI技术工艺尺寸一般为0.18微米或更小。
最后是特性参数分类，如最大功率、最大电流、最大噪声等等，每一个型号参数的定义都具有丰富的特性。
总之，增强型场效应管的型号不断演变，元件类型、工艺尺寸与特性参数三者概括起来，均可为电子器件的应用提供可靠性能。
