场效应管（Field Effect Transistor）是一种半导体发明，它由三部分组成：源、漏和栅。在三者的封装结构中，栅与漏之间有一定的距离，我们称之「栅漏间距」（Gate-Drain Spacing），而另外一个重要参数是结构中源接地之间的距离，称之为「源接地间距」（Source-Drain Spacing）。
这样的结构参数可以用一张图来表示。场效应管封装图上展示了一个小封装特地为晶体管设计的结构，其物理参数是互相有关的，两部分包括源-漏间距和源-栅间距。图上标出的多种参数来给出每个尺寸上可能的大小值。
图中从左至右分别是间距，可以表示源-漏的间距（GDS）、源-栅的间距（GSS）、栅-漏的间距（GDS）以及源接地间距（SDS）。在横轴上，每个尺寸=0.025mm，纵轴上每两步表示一个尺寸，一般为0.015mm。横轴上的横线表示各种参数可以达到的可行范围，其中(1/2)标出的值一般可以被普遍接受。
在去往市场采购场效应管的时候，可以参考场效应管封装图，以确保获得合适的封装参数，从而可以确保晶体管的稳定性和性能。
