nmos场效应管（Negative Channel Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor，简称NMOS）是一种采用金属氧化物半导体技术制作的类晶体管。NMOS是电源，在比较高的电压下进行操作的半导体元件。它的运作原理是当控制电压（VGS）达到一定阈值以上时，它会吸收少量的电荷，以促进和控制流过它的电流。这种特性使得NMOS非常适用于微处理器和10位的高度集成电路。
NMOS可用于许多应用中。它可以控制驱动和放大器的输出等离子体发生器、直流/直流变换器以及计算机快速存取存储器等。NMOS可用于电池连接的接触式应用，以及配电箱的启动按钮和灯控制设备。NMOS在汽车电子、电力电子、陆地计算机、电子计算机等领域也得到大量应用。
NMOS场效应管的一个明显优势是它对较高的驱动电源电压很不敏感，而且可以迅速反应稳定。NMOS有很高的关断和开启能力，可以处理同时开关过程中的大量电流。NMOS可以在超低电压范围内工作，因此比其他电子元件体积小而且能够减少热损失，消耗热量少，因此能够大大降低设备运行的能耗，是非常节能的元件。
NMOS场效应管同时还使用在电源供应领域，高压供电的时候，使用NMOS场效应管能力用更少的电路部件供应比较高的负载电压。
总而言之，NMOS场效应管由于具有高可靠性，稳定性，低消耗，高性能，小型化的特点，在电子设备中被大量应用，为人类工业技术发展做出了重要的贡献。
