场效应管（Field Effect Transistor，FET）是一种受到场效应影响的电子器件，由P沟道和N沟道混合型半导体组成，主要应用于电子放大和处理电路中。场效应管由于放大比高，有良好的噪声抑制性能，在射频功率放大器和电源放大器中特别普及，通常会和晶体管或其他放大器配合使用。
场效应管放大电路由输出端与输入端构成，可以将输入端微小电信号放大到输出端，是一种特别有效且功率相对节约的放大电路，能够用到各种电子设备中，从而提升电子设备的功能性，比如手机、电视、机顶盒等等。
在射频功率放大器的放大电路中，场效应管的放大电路通常有两种，分别是晶体管对称电路和场效应管非对称电路。由于场效应管放大器本身的特性，在实际应用时，都会使用稳压电路进行补偿，加之放大器元件的输出电流也会受到到流器的影响，因此在选择放大器元件时一定要选择到性能好的元件，以保证放大电路的质量。
综上所述，场效应管放大电路是一种非常有效的放大方案，可以多
