晶体管S8550D113的特点

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晶体管S8550D113的特点

晶体管S8550D113是一种NPN三极晶体管,其结构模型为S8550D113。它是一款普通质量标准级�供,晶体管S8550D113的常用功耗为225毫瓦,结构采用金属结的栅极驱动的NPN三极晶体管。晶体管S8550D113具有高质量、高可靠性、低总体成本,属于低功耗的大功率晶体。主要特点如下:

• 低散热:最大可处理225毫瓦功耗而不会引起异常温度升高;

• 高功率:可容纳85V单正/负而不会出现异常;

• 高可靠性:最大静态阻抗为700微欧;

• 高增益特性:最大频率增益为50 MHz,从无到有的时间为2.5ns;

• 稳定的工作特性:可处理-55°C至+150°C范围内的温度;

• 广泛的应用:它能满足高压、高频的电路应用,适用于数字接口、RF电路、前置放大器及功率放大器。

所以,晶体管S8550D113是一款非常重要且受欢迎的类晶体管产品,在很多电子设备中都得到了广泛的应用。

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