双极型场效应管（Bipolar Field Effect Transistor，简称BFET）是一种极低源极漏电流的场效应晶体管，其正向饱和电流甚至低于单普通的晶体管。这使得BFET在微型电路中可以实现更高的电压得到更高的能量效率。
BFET开创了全新的技术领域。BFET不仅可以能效比相比普通晶体管提高整数倍、消耗极少的电流，并且它的架（尺寸）更小，可直接替代现有的MOSFET、IGBT和Diodes。此外，BFET有着极高的双极压耐和机械耐压性，同时可以在高频领域进行运作（高达1GHz），从而允许更高效率的RFI过滤器等应用。另一方面，它可以延长台式电脑的电池续航时间。
在电力电子电路中，BFET也被广泛应用，其优势在于低损耗、低噪声和宽范围的匹配误差。因此它可以用于工业驱动器、汽车控制、接近传感器、移动电源乙醇燃料电池等，从而极大的简化了系统设计。
BFET的出现带来了不少的变革和机遇。它的效率可以替代传统MOSFET、IGBT和Diodes，而且可以缩小硅片的体积从而实现更好的优化效果。它同时也为接近传感器、移动电源乙醇燃料电池、工业驱动器和汽车控制等提供了新的可能性，帮助降低系统成本以及加速开发周期。
总而言之，双极型场效应管是一项技术发明，可以实现更高效的能量传输，改变传统的设计模式，给电子设备带来革命性的变化，令人称奇。
