igbt场效应管（Insulated Gate Bipolar Transistor，简称IGBT）是一种场效应管，它将一个型号的双极型功率外延二极管和MOS场效应管的优点结合在一起，在高频电路应用中表现出更高的效率和功率距离系数。
IGBT场效管工作时，MOSFET如果发生开路故障并发出传导能力，则传导能力会高出IGBT外管很多。当IGBT外管主体进入启动状态时，有一个内置的控制通道，发生三极管的栅极到源极的单向电容作用，这样就可以控制 gate-source 电压。
IGBT还具有一定的温度保护作用，当管温度升高时，内部的保护性电路会自动断开，从而采取正确措施预防IGBT场效应管因过热而损坏。 另外，IGBT还可以进行静止功率调节，在不影响IGBT类型器件操作参数及其可靠性的情况下实现对功率电路的调节。
IGBT 既具有双极型管的导通特性，又具有场效应管的高频高效捷性，所以应用非常广泛，用于低功耗高效率电源的开发、照明驱动、电动机控制、直流。交流转换、热成形、加热和控制、逆变器、无源滤波器等工业应用领域的交流及控制电路中经常使用。
由于IGBT场效应管的特点，它越来越受到了用户的青睐，它既可抗干扰，又可有效地提高了节能减排的效果，给我们的生活带来了极大的便利，也提升了工业设备的使用效率和质量。
