IGBT场效应管的基本知识

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IGBT场效应管的基本知识

igbt场效应管(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一种多功能气体发射晶体管,它由一个NPN或PNP晶体管和一个MOSFET组成。它是由美国爱德华国家实验室于1980年提出的一种改进的垂直发射晶体管的概念,其特点是单一的高压IGBT可控制大电流,并提供可编程的脉冲宽度调节的特性。

在IGBT场效应管的内部,主要由三层晶体管组成:一个N型晶体管,一个P型晶体管和一个MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 晶体管,它们之间有一个末端电子介质和表面的绝缘层。当从MOSFET的控制端提供电压时,会士缩MOSFET的沟槽通道,从而允许电流以受重量的方式通过晶体管,进而开始导通。当MOSFET断开时,此时电流将终止,而IGBT管就会断开。IGBT场效应管还具有低静态和动态漏电流、高直流悬浮电流和有效的热冷却优势,用于AC和DC应用。

IGBT场效应管在电机控制、汽车电子、动力电池供电系统、蒸汽调节系统、逆变电源系统等方面被广泛使用,具有低损耗,稳定性高,控制简单,使用寿命长,维护及保养简单等优点。IGBT场效应管可以大大改善工程系统的性能,并且可以帮助节省能源。

总之,IGBT场效应管具有低功耗,高品质,控制简单,可靠性高,维护方便等优点,已经广泛应用于微电子领域,在节能减排的任务中发挥着越来越重要的作用。

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