场效应晶体管(Field-effect transistor，简称FETs)噪声，是影响计算机、通信和电子设备性能的不利因素之一。由于FETs中的元件间不正确的连接，元件和外界间的物理耦合，可能给信号的电源和输出造成干扰，影响设备的性能。
在电子设备中，FETs 噪声的最大影响因子是外界环境中的金属书，包括铁晶体介质和磁有效器件等；在电路的信号线上，信号电压可能会受到一定的影响，成为噪声电压，从而影响信号的准确性。这种噪声可能会导致设备的误报率增加，甚至无法通过测试。
此外，FETs 噪声也可能影响电子设备的稳定性，也就是其能否持续正常工作的能力。尽管FETs在某些情况下可能会带来经济效益，但外界噪声也会对其工作可靠性产生影响。
因此，应该采用相应的技术措施来降低FETs 噪声的影响。可以增加电路中的屏蔽结构，改善电路的故障区域；可以进行一系列电流历程的电气测试，判断电路的稳定性等等。此外，噪声源也应该定期更换、更新，以保障电路的良好运行。
归结起来，FETs 噪声是影响电子设备性能的有害因素，需要我们采取科学合理的技术措施，有效的减少噪声带来的影响。
