富士igbt模块所用的二极管是高效率可靠的半导体器件，可用于电源驱动及其他电力设备的控制。相比传统的可控硅，IGBT具备更好的性能特性和更精密的控制精度。IGBT模块的二极管主要是由基极晶体管，放电晶体管，电容，对射晶体管，桥电流监控电阻，MOSFET，三极管，脉宽调制电容，栅极电阻等组成。
IGBT模块二极管的优点主要包括低功耗、低噪声、可靠性高、谐波特性好、寿命长、具有极快的开断能力以及有用的可控性特点。这使IGBT二极管在调整电流和电压调节方面表现卓越。此外，由于POR（起动点）值降低，IGBT的调整范围大大增加。
由于IGBT模块的晶体管二极管为半导体器件，它吸收了硅晶体管二极管的优点：非常低的漏电流，低损耗，高增益，多个晶体管可以集成进单个模块，模块上报文因而可以减少。此外，由于IGBT使用固态技术，可以消除可控硅二极管热量问题，进一步提高系统可靠性。
总之，IGBT模块所用的二极管具有低功耗，低噪声，可靠性高，谐波特性良好，寿命长等优势，这使它在电源驱动和调整电流、电压调节方面有着优异的表现。
