场效应管（Field effect transistor，FET）是一种电动势控制的三端管，是半导体电子学里常用的器件。由于采用场效应技术，FET具有低噪声特性，广泛应用于声音处理、信号处理和主用电路中。然而，随着工艺变得更加复杂，场效应管噪声成为主要性能质量因素之一。
在结构上，FET中的噪声源可分为非线性效应，由于材料的工艺不稳定性而导致的工艺噪声，以及由于固有材料噪声而引起的白噪声。其中，最常见的是杂散电子流噪声，它是由多种因素造成的，如元件门电容，芯片表面波导效应和随机存在的掺杂栅格器件等。
杂散电子流多发生在具有大面积的接触面的器件上。这是因为这种接触面具有较大的漏失率，因而形成漏电流，从而产生噪声。另外，接触面上的杂散电子流受随机通道的影响，而这些随机通道可能会增大漏电流，最终增大噪声。此外，外部环境条件，如温度、湿度，也会影响漏电流的大小以及噪声的大小。
另一种常见的FET噪声源是电容噪声。电容噪声主要受接触面包围的环境的影响。接触面受外界环境影响的不稳定性，会影响电流的流动，从而产生噪声。
根据以上探讨，可以看出，减少场效应管噪声需要采取多方面的措施，例如引入新工艺技术，以稳定场效应管的结构和电容噪声，或许也可以提高系统的抗干扰能力。此外，科学完善的测试和评估技术也有助于改进FET的性能，以降低其噪声。
