可变电阻区场效应管技术介绍

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可变电阻区场效应管技术介绍

可变电阻区场效应管 (VRSW FET) 是一种基于晶体管技术的三端场效应管,由可变电阻区域和可变电阻差分咪定部分组成。它可以在低功耗情况下实现高速、高精度的模拟采数据控制。可变电阻区场效应管具有低成本、低功耗和紧凑的封装的特点,因此受到越来越多的使用。

可变电阻区场效应管的设计原理是根据电动势的影响,应用电压信号来模拟改变通过晶体管的电流。该技术可以控制一定范围内的电流,而且能比较准确的表示电阻的实时变化。由于该技术能够控制高精度的低功耗的模电流,在移动电源应用和中等成本的模数应用中,它都有着极大的优势。

因此,可变电阻区场效应管常用于模数控制,采集和模拟的应用中,特别是在节能和移动设备中,可变电阻区域经常使用。另外,可变电阻区场效应管也可用于电源管理控制,激光光源控制,以及模拟电容控制等方面的应用中。

综上所述,可变电阻区场效应管具有低成本、低功耗和紧凑的封装的特点,并逐渐得到关注和使用,可以实现高精度的模拟数据控制,可用于不同的应用领域,是移动设备中普遍采用的一种技术。

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