场效应管放大电路（Field Effect Transistor Amplifier，FET）在电子领域有大量的应用，它可以在质量与效率上既保障质量又节省功率。它非常普遍，大大低于另一种普通的放大器，称为晶体管放大器。
FET是Bi-Avard Ponite於1949年发明的，他在1957年又改良了一个叫MOSFET的FET，有桥式和并联形式，并且是在半导体D加以制造的。根据电路的不同，FET又可以归类为单端FET和双端FET，无论哪种FET常常作为一种非线性电路，这种电路能够实现全部的Z-转换，可以让它在很多应用上使用。
FET的灵敏度和较低噪声并且具有很多优势，比如它的输入电容很小，而又不会改变电流的设置，可以使FET在电，温度，电磁干扰方面表现良好，获得较高的稳定性能。FET可以被用来造放大电路，而且比其它放大器更有效，在速度方面也有优势，当它的放大比不够或者它的工作频率超出规定时更是能节省功率，这些特性使得FET在电子行业中极为流行。
如今，场效应管放大电路已经发展迅猛，在半导体行业中成了一个主要趋势。新的技术是一直重新改良和提高技术，改进性能和减少成本以满足当前应用的要求，同时改变传统的设计理念，这种不断演化的场效应管放大电路使得它可以广泛应用于电路的设计，在噪声，范围，失真，电磁兼容性，低耗散功率，高灵敏度等方面表现出色。
FET在电子行业中的作用越来越重要，今天它的使用已经渗入到各个行业，它在高速计算，数字电视，导航、图像处理、PCB、射频、录音设备以及多媒体系统中都有着重要的作用。
FET是当今电子领域中的一个重要元件，它能提供更高性能和效率，更准确和稳定的放大，给客户带来更好的体验，可以说它在电子行业表现突出。
