大功率场效应管（High Power Field Effect Transistor，简称HPFET），是一种新型的功率电子器件，可以更高效、更快速地传输电流和电压。它最初由美国科学家迈克尔·约翰森发明，能承受的工作环境温度比普通功率晶体管更高，功耗也比后者低，速度更快。从参数角度来看，大功率场效应管参数包括FET的结构参数和工作参数。
结构参数涉及静态特性，包括发射极——采集极的最大供电电压Vds，采集极——极间的最大供电电压Vgs，采集极——极间的最小触发电压Vgs(t)，极间最大功率耗散Pd，发射极——采集极的最小饱和电阻，还有额定和偏压等；开关特性涉及动态特性，包括交流反复承受的最大峰值电流限值Idsm,拓宽集电极和发射极时间常数tsw,以及延迟电流限定和入射损耗等。
大功率场效应管参数为功率电路设计提供了便利，可在传统功率晶体管的情况下实现更高的功率效率和更快的响应速度，为高频电路设计提供了更多的便利。 此外，它还可以处理较大的电流和较低的损耗，在供电电路设计等领域得到广泛应用。
