场效应管（又称FET，Field-effect Transistor）是一种半导体晶体管，它的原理是利用一个层状结构的半导体的种子层，在其浓度或结构发生变化时产生电场对半导体掺杂浓度或结构的改变。这样半导体就可以作为电路的可控元件，有效控制信号流进出，可用作放大或者抑制电路中信号的透射度。由于有着良好的特性，场效应管已被广泛应用于各种电子器件，特别是在PCB上。
在PCB上使用场效应管的最大优势是在信号处理和放大方面。在放大信号时，可以实现低噪声、低漏洞、低失真的效果。此外，场效应管还有着很大的穿透率，正常情况下，大多数场效应管可实现相应的高通/低通/带通等效果，诸如低通可以有效抑制低频噪声，高通能够有效提升高频信号，有效改善整体信号的品质。
此外，因为场效应管的尺寸比较小，且控制元件数量比较少，使得特别是双向场效应管在空间方面也有着极大的优势，不仅节省了印刷线路板的空间，而且可以帮助降低线路板的成本。
在PCB上使用场效应管除可提升整体信号品质外，还能带来节能和节省空间的好处。因此，未来场效应管在电路设计中继续发挥重要的作用。
