近几十年来，场效应管（FET）已经逐渐取代传统的三极管（BJT）。尽管在发明之初，BJT的内在性能优于FET，但是，随着技术的进步，FET的逐步改善已经使它有能力取代BJT，成为当今电子行业用频非常高的器件之一。
FET的性能优于BJT的主要原因在于其能够提供更高的近线性性能，在较低的电压下可以具有更快的响应能力，而且更能有效的控制功率和电流，从而更少的损耗。此外，在高频应用中，FET的衰减损耗小于BJT，可以提供更低的噪声档次，因此是一种更可靠的可控元件。
此外，FET的制造和封装对节省电力的整体布局也有着明显的优势。与BJT相比，FET的制造效率更高，有着更广泛的封装形式，芯片的体积可以减少到极小的尺寸，在多个系统应用中，可以省去大量的空间和成本的支出。
综上所述，场效应管的性能和可靠性确实可以取代传统的三极管，成为电子行业最受欢迎的器件之一。尽管他们自身有天然的局限性，但是优势仍然是明显的，是勇于改变的公司在保持这个行业的优势地位方面，做出更大的贡献。
