富士IGBT模块用于家用电器、工业电气设备和其他应用领域，其要求的模块中只用了二极管作为半导体材料。它的特点是它的偏置特性相对较差、对电磁兼容性有限，但保持非常高的效率和可靠性。
富士IGBT模块用的二极管一般包含一个 N 沟道和一个 P 沟道以及相应的连接端。N 沟道是由正向偏置二极管组成的，其从门到二极管源看就像一根线，P 沟道由反向偏置二极管组成，其从门到漏极看就是一根线。正向偏置二极管中，N 沟道主要用来开关导通，它的表面电容量小，栅极与源极间的开关速度很快，因此能够管理大的电流。而反向偏置二极管中的 P 沟道主要用来限制开关电流，其电容量较大的特点能保证开关电流可控，减少发射体辐射。
二极管在富士IGB模块系统中起到重要作用，它能够快速的高效的开关电流、保护系统组件，在系统正常使用时，能够使电子零件的工作状态可信，保证了系统安全。
