晶体管是一种半导体元件，能够根据输入信号的输入电压调节输出功率。它有两种基本操作模式：非饱和区和饱和区， 晶体管在采用不同的输入信号时不同的工作区域也会有显著的差别。本文着重讨论晶体管在饱和区的工作特性。
晶体管的饱和区在不同的晶体管器件中有自己不同的特点，总体上主要存在以下不同之处：
首先，晶体管在饱和区中的放大倍数降低，只有有限的放大和输出驱动能力，一般在1至10倍之间。
其次，在饱和区下，晶体管的次谐振频率会变得越来越低，由于晶体管的饱和功能更强，当大信号引入时，晶体管会转变到饱和状态，导致发射失去控制，从而减少放大能力。
最后，在饱和区的动态响应影响，由于负压变小，过载响应能力会下降，这对于测量和控制系统的稳定性有不利影响。
以上就是晶体管饱和区工作特性的一些基本情况，尽管各种市场上正常晶体管的饱和特性有所不同，但是饱和状态不容忽视，必须重视并且加以研究才能使系统可靠性更高。
