沟道增强型场效应管（简称MOSFET）是一种利用沟道增大电子流增加器件功率，具有高工作可靠性、结构简单等优点的器件。它的特点是在较小的VDS（源极对漏极电压）下，可以获得较大的IDA（主极对漏极电流）、高稳定性。
MOSFET的模型由两个分量组成：一种是在栅极或阴极侧引入的场效应晶体管，另一种是在源极或阳极侧引入的沟道二极管。它们通过引入一个沟道形成一种具有特定性能的MOS结构，也称为沟道增强型场效应管或MOSFET。
由于MOSFET利用沟道来加强输出信号，因此它的输出具有更高的负载能力，耗电量更低，而且它不需要改变管芯的外形，可以做到小体积重量轻，可实现高效控制。尤其在数字电路、检波电路和程控电路等系统中，使用沟道增强型场效应管成为现在的三大核心技术之一。
MOSFET还具有高耐压能力和可靠性、高敏感性、被激发电路可变时等优点。因此，它广泛应用于电源供电、开关电路等方面，可以提高芯片的稳定性，是直流-交流转换器的主要元件。
总之，沟道增强型场效应管是一种具有高可靠性、高耐压、低耗电量和高敏感性的电子器件，因此，多被应用于电源供电、开关电路和变频器中，为电子产业发展作出了重要贡献。
