场效应管（Field-Effect Transistors, FETs）电流计算是电子设计工程师进行电路设计的过程中不可忽视的一个步骤，是判断一个场效应管是否能够满足设计要求的关键指标。在本文中，我们将介绍场效应管电流计算的简单方法。
首先，要进行场效应管电流计算，首先需要非常清楚地获取和分析场效应管的参数信息，包括漏源电压VDS、负载电阻RD、极间电阻Ron以及输入电压VGS几个参数，有了这些参数之后，就可以根据相应的电流公式进行计算。
根据费尔根斯转换，当VGS值趋于零时，ID电流等于RonxVDS / (RD+Ron)；当VGS值大于零时，ID电流等于(VGS-VTH)2/ (2xRON)。其中VTH是临界点极间电压，它一般取负值，根据效应管的不同，VTH值的大小也有所不同。
另外，还要注意的是根据上面提到的VGS-VTH的电流公式，ID电流的上限值一般可以透过查询效应管参数表来获得，而在计算过程中，也要注意如果VDS过大，可能会引起集电极源极压正向饱和，从而导致场效应管功能受到破坏，此时应当及时调整VDS。
总之，对于场效应管电流计算的方法可以有很多种，从简单的基础公式开始，到复杂的模型分析，甚至到利用计算表根据计算结果来进行拟合等，不管哪种方法，最终的准确性都是由贴片场效应管的参数配置来决定的，所以为了准确的计算结果，最好的办法是正确的参数配置。
