场效应管（Field effect transistors，FETs）是一种非常重要的半导体器件，主要是由贝尔实验室于1949年发明。它是一种采用外壳控制的变极器，其两极介质具有金属和基材的双重特性，具有普通变极器的优点，并且还具有良好的静态和动态电性能，在数字电子、模拟电子领域都得到了广泛的应用。
微变等效电路技术是近几十年才发展起来的新型电子技术，它利用器件的参数变化来实现模拟信号的调制，模拟信号失效处理及其他信号处理功能。
综合以上特点，场效应管微变等效电路应用范围可谓广泛，主要应用于低噪声放大器、星座调制处理器、模拟非线性处理器和低功耗模拟处理器等。近年来，国家有关部门和研究人员重视场效应管微变等效电路的研究，充分发挥它在信号处理方面的独特优势。例如，为信号模拟处理技术发展开发了新型耗能低、噪声低的器件；同时，为改善传输线路等信号传输系统质量，降低误差电平，应用技术也得到了发展。
总之，场效应管微变等效电路技术作为一种新技术应用前景广阔，留给科学家和技术专家探索的空间也越来越大，这无疑是一种信号处理语言，它将使模拟电路技术更进一步地发展和推广，未来它将为未来系统的高性能及高可靠性设计提供帮助。
