场效应管是一种半导体器件，它可以在小型、轻量、低功耗的情况下完成功率放大或信号处理等任务。它以低压操作，具有高输入阻抗以及高灵敏度，由于其具有低静态电流消耗的特点，因而大大节省了能耗。
在半导体器件制造的过程中，场效应管主要由p型半导体和n型半导体组成，并以极特殊的结构排列组合在一起，其结构可以看成是一块硅器件，具有金属电极和四个引线。排列结构中，p型半导体和n型半导体交错排列在一起，形成了一个特殊的器件结构，这就是场效应管的基本结构。
场效应管看起来与普通的晶体管非常相似，但二者有很大的不同。晶体管是一个三极管，它将电流输出到漏极放大，这样就可以产生另外一则叫做回比的电流增益。而场效应管却是一个一极管，在其工作原理上不需进行这种形式的放大，而是直接在其特殊结构的金属（例如硅）上电流衍射，这样就可以获得极大的输出电压。
总而言之，场效应管可以有效地利用较低的电压，产生较大的逻辑功能，这使其在电子技术领域占据了很重要的一席之地。
