晶体管和场效应管分别是电子技术中最古老且最为重要的元器件之一，可用于放大，功率控制及电信应用等。两者各有利弊，本文从原理及性能上分析比较两者的区别，以帮助电子工程师在开发产品时作出正确的选择。
晶体管的分类主要有NPN 和PNP 两种形式，它们采用的原理是由二个N 或P 型半导体介质分层的pn 结所完成的击穿。它们的特点是成本的低，可靠性较高，便于组装形式，可按要求集成到印刷电路板上，使用的供电电压也较低。晶体管的不足之处在于功率的损失大，放大的增益小，而且不能改变功率损耗的情况，应用领域也有限。
场效应管就是一种电子元件，它基于经典的薄膜介质技术，只需要少量电荷来实现不断变化的信号传输，它的特点是极小的损耗，放大的增益大，在功率消耗上的优势最为突出，并可使用的控制信号改变电路的电压、频率、方式等，它具有更大的应用潜力和可实现更多功能。但它的缺点也是有的，例如供电功耗的增加，非常敏感的热磁干扰，以及控制精度较低等。
在总体比较下来，可以说晶体管的特点是低功耗，可靠性较高，便于大范围的使用；而场效应管则有可更改功耗及增益的优势，以及较大的应用潜力，但其受热磁干扰的制约也不可忽视。最终，电子工程师在开发某应用时，应根据具体要求判断是否采用晶体管或场效应管作为辅助技术。
