场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）的特性是它能够控制集电极（source）和发射极（drain）之间电流的大小，而无需使用内部无源极件，它的功能也称之为“单极控制电路”，是由它的极介质（gate）来控制集电极和发射极之间的电路的，从而控制电路的电导。由于采用了极介质的技术，场效应管比普通的晶体管要结构小巧，且耐用，因此具有极大的应用价值。
从场效应管的参数来看，关键的参数就是它的极介质和极源势参数。FET的极介质和极源势参数描述在特性曲线上，是十分重要的参数，也可以说是指数函数。他们可以用来表征FET的工作特性，例如夕出端的饱和电流、通态电压的增益以及其他器件特性。
因此，了解和掌握场效应管参数就变得十分重要，它们可以帮助我们更好地分析和设计电路，从而更好地发挥晶体管的性能。此外，为了更好地利用FET，我们还需要知道如何测量和调节FET的极介质和极源势参数，这些也才是FET的性能发挥的第一步。
在总结上，场效应管的极介质和极源势参数是FET的基础，了解和掌握FET的参数有助于我们更好地分析并利用它的特性，实现电路的设计，提高其功能，使其在电子装置等体系中发挥最佳性能。
