npn三极管反向击穿电压是指在npn三极管反向偏压条件下，经过突发现象后，其内部电流使npn三极管进入导通状态，npn三极管反向击穿电压可以通过简单的演示电路来测量。
温度是影响npn三极管反向击穿电压高低的重要因素。由于温度的升高会使材料的小晶体管参数发生变化，从而使小晶体管的发射极击穿电压升高。如果给定相同条件，npn三极管反向击穿电压随着温度升高而增加。
另外，工艺参数也会影响npn三极管反向击穿电压的高低。由于小晶体管的结构中各种参数的精确性会影响击穿电压，因此改变工艺参数，使小晶体管具有最优的特性是新型小晶体管研发的重要技术参数之一。
此外，npn三极管反向击穿电压的另一影响因素是介质热效应。在介质中，由于介质静电场调节和电晕效应的存在，介质中存在较大的节流效应，可以改变小晶体管的正偏参数和击穿电压，这也会影响反向击穿电压的变化情况。
由以上可以看出，温度、工艺参数和介质热效应都是影响npn三极管反向击穿电压高低的重要因素，因此正确选择要经过综合考虑。
