场效应管亦称为MOSFET，是一种受控动力元件，在电子学中被广泛应用。它可以把变小的电势转化为较大的结果，使电路设计更加简便，并且可以实现高效的能源利用。
在场效应管中有两个基本概念，其中之一就是压降。压降即指从源端到接收端的电压变化量，一般情况下，场效应管内部晶体管的电阻越低，压降越小。场效应管的压降是由其内部晶体管电压降觉得出来的。由于不同的晶体管通常会有不同的电压降，因此场效应管的压降也会有所不同。
此外，在实际应用中，根据电路的要求，还可以通过添加一个连接在晶体管的源端和接收端的变阻器将晶体管的压降降低到一定的值。这种方法使用较多，可以有效规避因晶体管本身压降偏大而对电路产生的影响。
在电子设备的应用设计中，场效应管中的压降是一个重要的参数，它可以影响电路的效率、可靠性和功率利用率等性能，因此一定要把它考虑好。因此，在实际的应用设计时，必须选用具有较低的内部电压降的晶体管，同时还可以增加变阻器来降低压降，从而确保场效应管能够正常地工作。
总之，在场效应管中的压降是一个重要因素，在实际的应用中，应尽量选用低压降的晶体管来对其进行控制，从而获得最优的技术性能。
