场效应晶体管(FET)是半导体电子学中最重要的材料、元件和器件之一，它有着强大的振荡功能和输出电流控制能力，因此在无线电设备和微电子器件中非常常见。在任何应用中，要尽量获得好的FET功能，就要有充分和适当的理解FET的特性参数。
FET中的主要参数有源极电流(ID)、增益频率、电压增益、始终噪声、输入分声系数、输出分声系数、比衰减、漏电流、极间击穿电压(BVDSS)、最大输入功率等。每个参数都有其特殊的含义并有助于理解FET如何在其应用中工作。
源极电流(ID)作为晶体管的供电，可用来控制晶体管的输出电流；增益频率是一个重要的参数，可以定义一个晶体管增益的大小；电压增益是FET的重要参数，可以用来描述输出电压与输入电压之间的关系；始终噪声可以反映一个晶体管的噪声行为；输入分声系数可以反映晶体管的输入电路原理；输出分声系数表示晶体管的输出电路原理；比衰减是衡量晶体管衰减性能的重要参数；漏电流是控制晶体管的功率的关键因素；极间击穿电压(BVDSS)表示晶体管在极间时所承受的压力；最大输入功率表示FET在正常操作范围内最大的功率输入量。
充分理解和熟悉FET的特性参数非常重要，因为设计者可以根据不同参数来实现特定的应用。在选择器件时，设计者应该充分考虑参数特性，从而确保最适当的晶体管应用效果。只有充分理解和熟悉这些参数，才能最大程度的发挥晶体管性能，为设计者提供完整的参数参考。
