场效应管（Field Effect Transistor，FET）是一种控制型器件，它可以运用强大的电场来控制导体，它具有很高的区分度。当氧化层内的电子移动时，从而产生电流，它具有非常低的输入端电阻。在常见的半导体器件中，FET类型的晶体管属于分立元件。
FET是由沟道表面的材料和亚当斯结构表面组成的。它的基本原理是将高频射频波将电荷推进沟道，由于电荷的移动产生绝缘层上的压力，使沟道随着压力而变化，从而使晶体管输出电流发生变化。这种设备的压控比更高，不易产生极端效应，无论如何，它们都没有用电性能问题。
FET的灵敏性非常高，因此它们可以根据总功率输入功率变化而变化，从而可以进行精密的控制。这意味着它可以控制精确的变化，例如恒流，恒压，功率因数等。FET具有非常低的正向传递延迟，并具有高限承载电流的特点，因此有效的控制电源不断扩大，可以在更高的精度和质量范围内控制。
在当今世界技术发展快速的时代，FET器件及其在电子行业中的应用可以说是十分广泛，渗透到几乎所有领域，从汽车制造到日常生活，都有FET的踪迹。它的灵活性，节省资源等特性使它在电子行业中的发展非常快，是电子技术无法缺少的关键器件。可以说，FET及其在控制型器件中的应用已经成为当今世界最重要的一部分，以它的革命性变革推动着我们生活每一个角落的发展。
