FET（Field-Effect Transistor）是一种可以控制电容或电阻的半导体元件，由于FET操作的高灵敏性，它通常被用来检测微小的人工或自然信号变化，如电位变化、温度变化以及其他的信号源。有很多变化可以影响FET的动态行为，其中之一是噪声。
FET噪声是一种微机械引起的元件动态行为，它能够影响FET性能的核心参数，如增益、稳定性和带宽。它通常会在极低和高频之间变化，而噪声的复杂程度取决于FET的设计，其随机特性使其成为在工程中不可忽略的一部分。
为了最大限度地抑制FET噪声，人们必须采取一些措施改善FET的设计。最常用的方法是将FET集成到更大的电路之中，以抑制单独FET的动态行为。其他的方法包括调整散热器的尺寸以及使用耐高温材料，以延缓温度变化的影响，以及在电极前进行屏蔽，以减轻外部可能存在的噪声。
FET噪声，如果不经过适当的控制和管理会对设计FET的性能造成不利的影响。如果能够合理地抑制FET噪声，就可以有效地改善FET的性能，并提高FET的可靠性。
