igbt（绝缘栅极反相晶体管）是一种集成极反相晶体管（IPTB），是同时具有反相晶体管（BJT）和金属氧化物半导体开关特性的一种器件，可以实现在绝缘状态下进行电流控制的功能。因此，传统的反相晶体管及其衍生品由于电开关量的限制而不能得以发挥最大效能，IGBT可以加强，改善和改进现有技术以解决这一技术限制。
场效应管（FET）是有源器件，它具有传统的BJT器件所没有的功能，它可以以最小的射频、低的噪声和高的低频能量控制大电流。由于FET具有非常高的静态和动态性能，它可以实现非常低的射频噪声抑制，使用FET可以极大地改善射频峰值电平和稳定性，从而提高电子产品的性能。
总而言之，igbt是一种集成反相晶体管，而FET是一种有源电子器件，它们在实用性、功能、电器控制能力等方面存在很大的差异。igbt能利用绝缘和开关特性进行大电流的控制，实现灵活的电steam控制；而FET则常用于控制射频设备，具有较高的性能，而且可以抱低射频噪声，改善设备的性能。
