场效应管（Field-Effect Transistor，简称FET），是一种半导体器件，它具有分立可控管的特性，可用来对电信号实现高精度的放大和滤波。场效应管引脚，是FET器件拥有的实现信号传输的重要部分。
一般来说，FET器件有3个引脚，分别为源端（Source）、漏端（Drain）和栅极（Gate）。源端与漏端是通道的两端，是电流的流入和流出之处；栅极则可以改变通道内的空穴浓度，从而改变电流的流动。
此外，FET器件还有另外两个引脚，即侧极（Bulk）和汲取（Substrate），分别用于表示漏洼电压，以及影响晶体管电流的基底电压。其中，Bulk引脚具有改变漏洼电压，从而改变可控管电流等特点。
总而言之，场效应管引脚是实现信号传输的一个关键部分，一般来说，FET器件有5个引脚，分别是源端、漏端、栅极、侧极和汲取，每个引脚的功能不同，在应用中都起着重要的作用。
