场效应振荡器是一种稳定的电子电路，它可以产生准确的，稳定的，高效率的频率振荡。它能输出频率高达几万次，它的特殊功能也使得它与普通的振荡器截然不同。场效应振荡器由形参JFET（极少桥开发元件）构成，晶体管/电子器件是振荡器的基本元件，即晶体管的模拟受控振荡器、CMOS双进制振荡器以及集成电路（IC）振荡器等。
场效应振荡器更容易控制，可以在应用程序中调整频率。当它们连接到反馈回路时，可以改变振荡器的电压和时间，以获得想要的谐波。此外，场效应振荡器还有较低的阻抗和宽的动态范围，可以有效改善振荡器的性能，提高谐波抑制比，从而实现方波稳定和低失真。
在研究场效应振荡器的过程中，最有价值的是研究它的行为以及在不同工作状态下的可靠性。由于它主要是由晶体管组成的，所以了解它在温度变化情况下的表现也是重要的。此外，因行业标准的变化，对于具有特殊热稳定性的场效应振荡器也非常关注，以确保它们在低温水平下也能正常运行。
总之，在今天的电子产品中，场效应振荡器属于跨越范畴的显示器器件，它能有效地改善晶体管振荡器的性能，为广大电子工程师提供了一种非常有用的解决方案。
