场效应管（Field Effect Transistor，FET）是一种电晶体元件，它的作用是控制电流流经元件的大小。场效应管最早于1960年由美国人池田晴夫发明。它由物理电路组成，其基本元件是晶体管。它有一个非常独特的特性，就是它可以调节电流和电压的变化率，这就是所谓的“场效应”，它可以用来控制和调节电子设备中的电压和电流。
此外，场效应管的特性还包括高集成度、低功耗、噪声抑制、低输入电容等。在实际应用中，场效应管常用来作为放大电路的元件，因为它可以实现良好的输入和输出比和高频率的操作。场效应管也用于模拟信号的处理、检测电路、放大电路和控制电路，它的多功能性是其受欢迎的重要原因。
在充分发挥场效应管的特性时，科学家研究了多种电子电路，实现了场效应管在这些电路中的应用，这也是场效应电子的历史发展：从1963年第一次使用MOS结构，到二十世纪八十年代大规模集成电路的出现，以及当今普及的半导体内部处理和存储器的发展。当今，因为电子电路用途越来越广，对于电流或电压变化率要求越来越高，场效应管的应用就会越来越广泛。
在总结场效应管特性时，最重要的是场效应管能够控制电压和电流的变化率，调节电流大小，并获得高效的放大电路。此外，还有高集成度、低功耗、噪声抑制、低输入电容等特性，使场效应管受到越来越多的应用。
